中日両國 >
日本メディアの22日の報道によると、日本政府の支援を受け設(shè)立された半導(dǎo)體メーカー「Rapidus」は、「2nmプロセス以下」という大膽な旗印を掲げた。日本はこれにより技術(shù)面で中國を大きく突き放し、「半導(dǎo)體強(qiáng)國」の稱號を取り戻そうとしている。しかし現(xiàn)時點(diǎn)で40nm半導(dǎo)體を生産している日本が世界最先端の2nmに一気に飛躍しようとしていることから、多くの業(yè)界関係者は「機(jī)上の空論」と批判し、日本が「技術(shù)で勝ち、市場で負(fù)ける」という歴史を再演する可能性があると見ている。
40nmと2nmの間の開きは？
Rapidusは今回、日本國內(nèi)及び世界の半導(dǎo)體業(yè)界で震動を起こしたが、これは「2nmプロセス以下」という目標(biāo)のためだ。世界で現(xiàn)在最も先進(jìn)的な半導(dǎo)體製造プロセスは3nmで、臺積電（TSMC）とサムスン電子が今年より3nm半導(dǎo)體を量産化しており、早ければ2025年に2nm半導(dǎo)體を量産化する予定だ。ところが日本企業(yè)は現(xiàn)在、40nm前後の半導(dǎo)體しか生産できていない。
40nmと2nmの間にはどの程度の開きがあるのだろうか。微細(xì)加工研究所の湯之上隆所長は以前記事の中で、40nmから2nmに進(jìn)むためには、さらに32nm、22nm、16?14nm、10nm、7nm、5nm、3nmなどの関門を突破する必要があるとした?！袱膜蓼?nmは現(xiàn)在、日本を9世代上回る水準(zhǔn)だ」
このような大きな飛躍であることから、多くの業(yè)界関係者とメディアは、日本が今後10年で2nmの目標(biāo)を達(dá)成することに期待していない。ある中國半導(dǎo)體設(shè)計會社の李承エンジニアは「環(huán)球時報」に、「日本が目標(biāo)を14nm、さらには7nmに設(shè)定していたならば、これほど疑問視されなかっただろう。7nmからは半導(dǎo)體の設(shè)計?製造の難易度が大幅に上がり、現(xiàn)在は世界でもサムスンと臺積電しか関連プロセスを把握していない。日本企業(yè)はメモリチップ、半導(dǎo)體設(shè)備、フォトレジストなどで重要な地位を占めているが、半導(dǎo)體製造ではすでに立ち遅れている。日本が10年內(nèi)に起死回生を果たすとは信じがたい」と述べた。
「中國網(wǎng)日本語版（チャイナネット）」2022年11月23日
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